赵继民

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非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响
《清华大学学报（自然科学版）》1999年第6期11-14,共4页赵继民 倪军 胡辉 熊家炯 朱嘉麟 
国家"八六三"计划基金
研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和ＴＥ模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿ｚ轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下，采用传递矩阵方法计算应变沿ｚ轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和ＴＥ模光增益。解析推导表明...
关键词：量子阱结构 能带 增益 非均匀应变 半导体 
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