高印博

作品数：6被引量：7H指数：1
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供职机构：沈阳理工大学理学院更多>>
发文主题：球磨CR3+粉体光致发光脉冲激光沉积更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
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退火对Cr^(3+)离子掺杂Al_2O_3薄膜的结构及发光性能影响被引量：1
《功能材料》2013年第13期1859-1862,共4页孙乃坤 杜宝盛 高印博 柳峰 蔡宗岐 赵美星 
沈阳理工大学博士启动专项基金资助项目(沈理工科[2008]20号)
用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%(质量分数)的Cr3+∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保...
关键词：脉冲激光沉积 Cr3+掺杂的氧化铝薄膜 荧光光谱 真空退火 
Ni^(2+)掺杂ZnO薄膜及粉体的结构和发光性能研究被引量：1
《功能材料》2012年第12期1586-1589,共4页徐送宁 蔡宗岐 孙乃坤 柳峰 高印博 赵美星 
辽宁省重点实验室建设资助项目(辽科发[2011]20号);沈阳理工大学博士启动专项基金资助项目(沈理工科[2008]20号)
采用激光脉冲沉积法,用XeCl准分子激光器在Si(100)基片、真空和5Pa氧气气氛下制备了Ni 2+(0.8%(原子分数))掺杂的呈六角纤锌矿结构的ZnO薄膜。氧气气氛下制备的薄膜沿(002)取向生长,表面比较平整,平均颗粒尺寸为80nm。真空条件下制备的...
关键词：激光脉冲沉积 Ni掺杂 ZNO薄膜 光致发光 缺陷发光 
Ho^(3+)掺杂Al_2O_3粉体、薄膜的结构及其发光性能
《半导体光电》2012年第5期686-689,共4页徐志洁 柳峰 高印博 赵美星 孙乃坤 
沈阳理工大学博士启动专项基金项目(沈理工科[2008]20号)
采用高能球磨法及脉冲激光沉积法(PLD)分别制备了不同浓度的Ho3+∶Al2O3纳米粉体及薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、荧光光谱仪等分析手段研究了Ho3+离子掺杂对Al2O3结构及发光性能的影响。XRD图谱显示粉体样品为六方α-Al2O3结...
关键词：Ho3+ AL2O3 球磨 脉冲激光沉积 结构 发光性能 
微量Co^(2+)掺杂ZnO粉体的结构和光学性能研究
《半导体光电》2012年第5期703-706,共4页胡杰 柳峰 高印博 蔡宗岐 
沈阳理工大学博士启动专项基金项目(沈理工科[2008]20号)
采用球磨法制备了Zn1-xCoxO(x=0,0.004,0.008)纳米粉体,分别利用XRD,PL光谱和紫外-可见吸收光谱对样品进行了表征。XRD图谱显示样品呈六方纤锌矿结构,随着Co2+离子掺杂量的增加,晶格常数和平均晶粒尺寸略有减小。在PL光谱上观察到三个...
关键词：Co2+掺杂 球磨 退火 光致发光 紫外吸收 
Mn_2Sb_(0.95)Bi_(0.05)化合物的磁性和电输运性能
《功能材料》2011年第B11期791-793,共3页孙乃坤 高印博 杨健 
沈阳理工大学博士启动基金资助项目(沈理工科[2008]20号)
通过首先熔炼Sb0.95Bi0.05固溶体,然后再把该固溶体和Mn一起熔炼的多步骤熔炼法,成功地制备了Mn2Sb0.95Bi0.05化合物。样品的热磁曲线测量表明在亚铁磁的Mn2Sb基体中,通过Bi对Sb的替代可以在90K附近诱发亚铁磁到反铁磁转变。与这个一级...
关键词：金属间化合物 变磁转变 电输运性能 巨磁电阻效应 超布里渊区能隙 
Cr^(3+)离子掺杂对Al_2O_3粉末结构及发光性能影响被引量：5
《材料研究学报》2011年第5期557-560,共4页孙乃坤 高印博 杨健 柳峰 蔡宗岐 徐送宁 
沈阳理工大学博士启动专项基金2008(20)资助项目~~
采用球磨法制备了不同浓度Cr_2O_3掺杂的Al_2O_3粉体,并在700℃、1200℃空气中退火2 h。1200℃退火后样品,除掺杂浓度为1.6%的样品中出现少量γ-Al_2O_3相外,其余样品相均为纯α-Al_2O_3。样品晶格常数随着Cr^(3+)离子浓度的增加而增加...
关键词：无机非金属材料 Cr^(3+):Al_2O_3 荧光 纳米粉体 球磨 
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