黄红娟

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：教育部更多>>
发文主题：MOS结构AL2O3电容特性原子层沉积N-GAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程项目江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
《物理学报》2013年第19期414-419,共6页闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 
国家自然科学基金(批准号:11074280);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053);江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题~~
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发...
关键词：原子层沉积 Al2O3/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部