焦晋平

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发文主题：MOS结构AL2O3氮化镓铝镓氮肖特基二极管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金江苏高校优势学科建设工程项目更多>>
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氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究
《固体电子学研究与进展》2014年第2期106-110,共5页焦晋平 任舰 闫大为 顾晓峰 
中国博士后科学基金资助项目(2013M540437);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B)
制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电...
关键词：铝镓氮 氮化镓 肖特基二极管 缺陷辅助隧穿 热发射 Frenkel-Poole发射 
原子层沉积Al2O3／n-GaN MOS结构的电容特性：
《物理学报》2013年第19期414-419,共6页闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰 
国家自然科学基金(批准号:11074280);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053);江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题~~
利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构,研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响,分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源.在无光照情形下,由于极长的电子发...
关键词：原子层沉积 Al2O3/n-GaN 金属-氧化物-半导体结构 电容特性 
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