孙艳玲

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：3C-SICSIN-P-SISEM更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第6期567-573,共7页孙国胜 孙艳玲 王雷 赵万顺 罗木昌 张永兴 曾一平 李晋闽 林兰英 
国家重点基础研究发展规划 ( No.G2 0 0 0 0 683);国家高技术研究发展计划 ( No.2 0 0 1AA3110 90 )资助项目~~
Highly oriented voids-free 3C-SiC heteroepitaxial layers are grown onφ50mm Si (100) substrates by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD).The initial stage of carbonization and the surface morphology of carbon...
关键词：LPCVD voids-free n-3C-SiC/p-Si(100) heterojunction characteristics 
Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)被引量：4
《发光学报》2003年第4期421-425,共5页孙国胜 罗木昌 王雷 赵万顺 孙艳玲 曾一平 李晋闽 林兰英 
国家基础研究专项基金 (G2 0 0 0 0 683 ) ;国家高技术研究与发展基金 (2 0 0 1AA3 110 90 )资助项目~~
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的...
关键词：3C-SIC 碳化硅 拉曼光谱 RAMAN光谱 蓝宝石(0001)衬底 晶格失配度 热膨胀系数失配度 背散射 
Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究被引量：2
《发光学报》2003年第2期130-134,共5页孙国胜 孙艳玲 王雷 赵万顺 罗木昌 李建平 曾一平 林兰英 
国家重点基础研究专项经费基金(G20000683);国家863高技术研究与发展项目基金(2001AA311090)资助项目
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C Si...
关键词：硅衬底 Si(100)衬底 n-3C-SiC/p-Si异质结 结构研究 3C-SiC外延膜 碳化硅 扫描电子显微镜 SEM 
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