梁晓甘

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：光致发光谱GAAS量子阱GAASSB发光研究光致发光更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
《Journal of Semiconductors》2002年第12期1281-1285,共5页梁晓甘 江德生 边历峰 潘钟 李联合 吴荣汉 
中国科学院纳米科学与技术 (批准号 :2 9890 2 17);国家自然科学基金 (批准号 :698760 3 7)资助项目~~
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发...
关键词：GaInNAs/GaAs量子阱 光致发光谱 光调制反射谱 氮化物 半导体 镓铟氮砷化合物 
高组分稀磁半导体Cd_(1 -x)Mn_xTe/CdTe超晶格的光调制反射谱研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2002年第5期332-336,共5页陈辰嘉 王学忠 梁晓甘 李海涛 凌震 王迅 V Bellani M Geddo A Stella S Tavazzi A Borghesi A Sassella 
国家自然科学基金 (批准号 198740 0 5 )资助项目~~
报道用分子束外延 (MEB)技术生长的x =0 4 ,0 8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的光调制反射谱在室温和液氮下的实验结果 .观测到 11H ,2 2H ,33H和 11L等激子跃迁结构 ,计及子能级的量子限定效应和晶格失配导致的应力效应 ...
关键词：光调制反射 激子跃迁 应力效应 超晶格 
GaAsSb /GaAs量子阱激光器结构的发光研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2002年第z1期7-10,共4页江德生 王江波 C.Navarro 陈志标 俞水清 S.Chaparro S.Johnson 曹勇 张永航 江德生 梁晓甘 
美国科学基金会(批准号0070125)部分资助项目
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响．同时,低温光...
关键词：GaAsSb  量子阱 激光 光致发光. 
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