王晓彬

作品数：3被引量：7H指数：2
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：二极管快速软恢复DI/DT晶闸管半导体二极管更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《清华大学学报（自然科学版）》《电力电子技术》更多>>
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新型大功率快速软恢复二极管:SIOD被引量：3
《半导体技术》1998年第1期30-34,共5页张清纯 张斌 王晓彬 
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高注入效率使二极管正向压降显著降低，而在换向时，ｐ区的低注入效率又能使反向峰值电流显著下...
关键词：二极管 欧姆接触 功率二极管 SIOD 
提高高频晶闸管di/dt耐量的研究被引量：1
《清华大学学报（自然科学版）》1997年第1期106-109,共4页王晓彬 王培清 张斌 
为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较低的一扩浓度，较薄的基区宽度以及用高能电子辐照控制少子寿命，有利于提高ｄｉ／ｄｔ...
关键词：高频晶闸管 di/dt耐量 放大门极 晶闸管 
阴极图形对高频晶闸管di/dt的影响被引量：4
《电力电子技术》1996年第4期97-99,共3页王晓彬 王培清 张斌 
阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（...
关键词：阴极图形 高频 晶闸管 
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