兰建章

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文主题：电子显微镜INSBINGAAS/GAAS半导体界面半导体材料更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子显微学报》更多>>
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InSb/GaAs半导体界面结构研究
《电子显微学报》1998年第6期727-733,共7页王绍青 孟祥敏 兰建章 叶恒强 
国家自然科学基金
本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量化分析得到了界面位错区附近的晶格点阵畸变位移分布。基于该实验结果文中提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型。该界面模型合理地解释了...
关键词：半导体界面 原子结构 砷化镓 锑化铟 
高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析被引量：1
《电子显微学报》1998年第2期176-181,共6页兰建章 王绍青 孟祥敏 于瀛大 谢天生 李斗星 
国家自然科学基金;国家高技术新材料领域专家委员会资助
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移...
关键词：电子显微镜 应变层超晶格 外延生长 半导体材料 
高分辨电子显微像的定量分析与应用 I.基于图像处理的高分辨像定量分析方法被引量：1
《电子显微学报》1998年第1期72-77,共6页兰建章 王绍青 谢天生 于瀛大 孟祥敏 李斗星 
国家自然科学基金;国家高技术新材料领域专家委员会资助
本文通过研究高分辨电子显微像的图像处理技术，系统地建立了两种高分辨原子像亮点中心精确定位的处理方法：灰度梯度检测法和峰谷提取－灰度平均法。基于原子像亮点中心定位技术，使用最小二乘法，建立了测量高分辨像中局部点阵参数和...
关键词：电子显微镜 点阵畸变 定量分析 图像处理 
SiC／Si_3N_4复合材料中晶间相的能量过滤像研究
《电子显微学报》1996年第6期498-498,共1页于瀛大 戴吉岩 兰建章 李斗星 叶恒强 
辽宁省博士科研起动基金
ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料中晶间相的能量过滤像研究＊于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）复合材料的高温机械性能在很大程度上受材料中的界面和晶间相的影响，因此...
关键词：复合材料 能量过滤像 晶间相 界面 
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