张燕峰

作品数：4被引量：1H指数：1
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发文主题：椭圆偏振光谱介电函数半导体材料GA微商更多>>
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发文期刊：《半导体光电》《半导体杂志》《物理》《光电子．激光》更多>>
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精确确定半导体材料临界点的能量值
《半导体光电》1999年第1期53-57,共5页张淑芝 张燕峰 连洁 
分析表明波长调制反射谱的实质，是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，...
关键词：半导体材料 椭圆偏振光谱 临界点 阈值能量 
用反射椭圆偏振光谱获得波长调制反射谱
《物理》1998年第11期690-694,共5页张淑芝 连洁 张燕峰 
文章分析了波长调制反射谱的实质是静态介电函数对能量的一级微商谱．将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ两个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求其一级微商谱．将用于分析电反射谱的三点法推广用来分析介...
关键词：椭圆偏振光谱 介电函数 波长调制谱 半导体 
用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置
《半导体杂志》1998年第3期1-7,共7页张淑芝 张燕峰 
分析了波长调制反射谱，实际是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求...
关键词：椭圆偏振光谱 临界点 三点比 半导体材料 
用介电函数的三级微商谱精确确定Ga_xIn_(1-x)P临界点的能量值被引量：1
《光电子．激光》1998年第6期478-481,共4页张淑芝 张燕峰 连洁 
本文导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比。将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ３个样品，用椭圆偏振光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求其三级微商谱。把用来分析电反射谱的三点法推广到...
关键词：介电函数 三级微商谱 三点定标内插法 临界点 
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