张淑芝

作品数：16被引量：19H指数：2
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供职机构：山东大学更多>>
发文主题：椭圆偏振光谱光学性质GA椭偏光谱P更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《半导体杂志》《光学学报》《红外与毫米波学报》更多>>
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光电子材料光学参数的无损检测被引量：3
《光学技术》2001年第5期466-468,共3页连洁 魏爱俭 李桂秋 王青圃 张淑芝 张晓阳 
利用消光式椭圆偏振光谱法 ,在室温下可见光区对光电子材料镓铟磷的光学参数进行了测量 ,得到该材料的折射率和吸收系数随光子能量的变化关系曲线 ,并对结果进行了分析和讨论 。
关键词：无损检测 椭偏光谱 带隙 光电子材料 光学参数 镓铟磷 
铝镓铟磷的带隙分析被引量：2
《光电子．激光》2001年第9期917-919,共3页连洁 魏爱俭 王青圃 李桂秋 张淑芝 张晓阳 
山东大学青年科学基金资助项目
本文利用椭圆偏振光谱法研究了铝镓铟磷 (Al Ga In P)以及掺 Si样品 ,获得样品的光学常数随光子能量的变化关系和可见光区的介电函数谱 ;对该谱进行数值微分 ,得到介电函数的三级微商谱 ;应用介电函数的三级微商理论 ,求得样品的带隙 。
关键词：椭偏光谱 三级微商理论 能带隙 铝镓铟磷 发光器件 
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量：1
《半导体光电》2000年第2期111-114,共4页连洁 张淑芝 卢菲 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 
"8 6 3"资助项目!(86 3- 715 - 0 0 1- 0 171)
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以...
关键词：ALGAINP 光学性质 砷化镓 光学性质 MOCVD 
(Al_xGa_(1-x))_yIn_(1-y)P表面氧化特性
《山东大学学报（自然科学版）》1999年第2期170-175,共6页连洁 张淑芝 许进 黄柏标 崔德良 秦晓燕 
利用双层吸收膜模型，采用消光式椭圆偏振仪，对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的...
关键词：氧化膜 光学参数 四元半导体 ALGAINP 表面氧化 
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P中Al的组分研究被引量：1
《光电子．激光》1999年第5期415-418,共4页张淑芝 连洁 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 
"八六三"计划资助
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线...
关键词：椭偏光谱 有效介质近似 四元半导体 
用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_1-_xP的光学性质(Ⅱ)被引量：2
《山东大学学报（自然科学版）》1999年第1期68-73,共6页张淑芝 张燕锋 黄柏标 黄根生 秦晓燕 
"八六三"资助项目
用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下，可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱．将用于分析调制反射谱的三点比例法推广，并用来分析介电函数的三级微商谱．精...
关键词：有序结构 镓铟磷化合物 椭圆偏振光谱 光学性质 
精确确定半导体材料临界点的能量值
《半导体光电》1999年第1期53-57,共5页张淑芝 张燕峰 连洁 
分析表明波长调制反射谱的实质，是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，...
关键词：半导体材料 椭圆偏振光谱 临界点 阈值能量 
用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)被引量：4
《山东大学学报（自然科学版）》1998年第4期410-415,共6页张淑芝 张燕锋 黄伯标 黄根生 秦晓燕 
用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论，给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值，Δ...
关键词：带隙 椭圆偏振光谱 化合物半导体 光学性质 
用反射椭圆偏振光谱获得波长调制反射谱
《物理》1998年第11期690-694,共5页张淑芝 连洁 张燕峰 
文章分析了波长调制反射谱的实质是静态介电函数对能量的一级微商谱．将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ两个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求其一级微商谱．将用于分析电反射谱的三点法推广用来分析介...
关键词：椭圆偏振光谱 介电函数 波长调制谱 半导体 
用椭圆偏振光谱精确确定半导体材料临界点的位置
《半导体杂志》1998年第3期1-7,共7页张淑芝 张燕峰 
分析了波长调制反射谱，实际是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱，并求...
关键词：椭圆偏振光谱 临界点 三点比 半导体材料 
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