崔德良

作品数：4被引量：7H指数：1
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供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文主题：XGAALGAINP催化性二甲苯对二甲苯更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术化学工程理学更多>>
发文期刊：《半导体光电》《人工晶体学报》《光电子．激光》更多>>
所获基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国家自然科学基金更多>>
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立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究被引量：6
《人工晶体学报》2004年第3期296-300,共5页李玲 郝霄鹏 于乃森 徐现刚 崔德良 蒋民华 
国家自然科学基金 ( 60 0 2 5 40 9;5 0 3 0 2 0 0 5 ;90 10 10 16);山东省优秀中青年科学家科研奖励基金 ( 0 3BS0 75 )资助项目
低温 (2 80℃ )条件下 ,通过二甲苯中AlCl3 和NaN3 的反应制备出了AlN纳米微粒。 70 0℃退火 4 8h后 ,得到了纯的立方相AlN纳米晶。通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析 ,验证了立方相AlN纳米晶的生成。经XRD和TEM分析 ,纳米晶的平均粒度约...
关键词：立方氮化铝纳米晶 溶剂热合成工艺 二甲苯 退火工艺 杂化环反应 三甲基咔唑 
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量：1
《半导体光电》2000年第2期111-114,共4页连洁 张淑芝 卢菲 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 
"8 6 3"资助项目!(86 3- 715 - 0 0 1- 0 171)
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以...
关键词：ALGAINP 光学性质 砷化镓 光学性质 MOCVD 
(Al_xGa_(1-x))_yIn_(1-y)P表面氧化特性
《山东大学学报（自然科学版）》1999年第2期170-175,共6页连洁 张淑芝 许进 黄柏标 崔德良 秦晓燕 
利用双层吸收膜模型，采用消光式椭圆偏振仪，对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的...
关键词：氧化膜 光学参数 四元半导体 ALGAINP 表面氧化 
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P中Al的组分研究被引量：1
《光电子．激光》1999年第5期415-418,共4页张淑芝 连洁 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 
"八六三"计划资助
本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线...
关键词：椭偏光谱 有效介质近似 四元半导体 
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