王云姬

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：铟镓砷平面型红外探测器芯片光敏更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《中国激光》《红外与毫米波学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器被引量：2
《红外与毫米波学报》2015年第3期286-290,共5页杨波 邵秀梅 唐恒敬 邓洪海 李雪 魏鹏 王云姬 李淘 龚海梅 
国家重点基础研究发展计划资助973项目(2012CB619200);国家自然科学基金(61376052)~~
为了实现In Ga As探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层In Ga As腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型In Ga As面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了In P衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5~1.7μm...
关键词：铟镓砷探测器 可见增强 衬底减薄 量子效率 
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2014年第4期333-336,共4页王云姬 唐恒敬 李雪 邵秀梅 杨波 邓双燕 龚海梅 
Supported by National Key Basic Research and Development Program of China(2012CB619200);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(61205105,,61007067,61376052)
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积（PECVD）和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显...
关键词：INGAAS 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜 暗电流 
InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能被引量：1
《中国激光》2012年第5期179-182,共4页王云姬 唐恒敬 李雪 段微波 刘定权 龚海梅 
国家自然科学基金(61007067)资助课题
为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅...
关键词：探测器 法布里-珀罗滤光膜 热蒸发法 三谐振腔 
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