罗帅

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：量子点激光器MOCVDINAS磷化铟INP基更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺医药卫生理学更多>>
发文期刊：《中国激光》更多>>
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分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理被引量：3
《中国激光》2022年第23期33-38,共6页肖春阳 王俊 李家琛 王海静 贾艳星 马博杰 刘倬良 明蕊 白一鸣 黄永清 任晓敏 罗帅 季海铭 
国家自然科学基金(61874148,61974141);国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104);北京市科技计划课题(Z191100004819012);北京市自然科学基金(4212055);国家创新研究群体科学基金(62021005);高校学科创新引智计划项目(BP0719012)。
从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角S...
关键词：材料 硅基激光器 第一性原理 分子束外延 反相畴 无偏角Si(001) 
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