刘佩瑶

作品数：3被引量：5H指数：2
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供职机构：沈阳仪器仪表工艺研究所更多>>
发文主题：霍尔元件INSB敏感膜电子迁移率电极更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电气工程理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《仪表技术与传感器》更多>>
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InSb 薄膜磨抛工艺技术的研究被引量：1
《仪表技术与传感器》1998年第10期13-15,共3页孔海霞 于成民 孙仁涛 刘佩瑶 
】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中，用机械磨抛的方法，探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题，从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。
关键词：INSB薄膜 磨抛工艺 补偿技术 传感器 
InSb薄膜制备工艺技术研究被引量：2
《仪表技术与传感器》1996年第2期18-21,共4页刘佩瑶 于成民 王晓雯 
本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.
关键词：薄膜 磁敏元件 制备工艺 
双霍尔元件磁敏电流传感器的研究被引量：2
《仪表技术与传感器》1992年第5期8-11,共4页于成民 曾永宁 孙仁涛 冯桂华 刘佩瑶 关杰 
采用双元件双气隙的方法制做的电流传感器大幅度降低了传感器的非线性度和位置误差,提高了传感器的抗干扰能力与量程范围。本文还建立了双元件电流传感器输出霍尔电压的理论计算模型。
关键词：霍尔器件 电流传感器 研究 
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