孔华

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）更多>>
发文主题：CF感应耦合等离子体法拉第筒刻蚀速率入射角更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》更多>>
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CF_4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO_2刻蚀速率的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2004年第3期327-331,共5页孔华 辛煜 黄松 宁兆元 
国家自然科学基金项目(No.10175048)
在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用“法拉第筒”式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系。在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基...
关键词：感应耦合等离子体 法拉第筒 归一化刻蚀速率 入射角 SiO2 
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