宁吉强

作品数:1被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文主题:溶剂热合成溶剂热过饱和度单晶材料碳化硅更多>>
发文领域:电子电信化学工程更多>>
发文期刊:《Chinese Journal of Chemical Physics》更多>>
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碳化硅单晶材料的溶剂热合成与表征被引量:2
《Chinese Journal of Chemical Physics》2004年第5期633-636,共4页宁吉强 杨碚芳 傅正平 王震 张庶元 
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采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金...
关键词:溶剂热合成 碳化硅 过饱和度 
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