彭鹏

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文主题：异质结双极型晶体管HBT材料分子束外延化合物半导体GAAS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》更多>>
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InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算
《功能材料与器件学报》2001年第4期379-383,共5页彭鹏 李爱珍 陈建新 
用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对InGaP/GaAsHBT进行了数值模拟计算和分析。
关键词：费米统计律 载流子分布 异质结双极型晶体管 数值模拟 
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