王昊

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2016年第2期87-97,共11页张望 韩伟华 吕奇峰 王昊 杨富华 
国家自然科学基金资助项目(61376096)
从器件结构和电学特性等方面,对具有垂直结构和水平结构的Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的最新研究进展进行了综述。对于垂直器件,虽然高质量的垂直Ⅲ-Ⅴ族纳米线易于获得,但栅极的逻辑布线难以实现;对于水平结构器件,虽然栅极的逻辑布线与当前...
关键词：晶体管 Ⅲ-Ⅴ族纳米线 垂直结构 水平结构 硅基衬底 
基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
《微纳电子技术》2015年第12期800-810,共11页吕奇峰 洪文婷 马刘红 王昊 韩伟华 杨富华 
国家自然科学基金资助项目(61376096)
介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜。选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。同...
关键词：硅基图形衬底 Ⅲ-Ⅴ族材料 微通道外延 选区生长 纳米结构 
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管
《微纳电子技术》2014年第6期345-354,共10页洪文婷 韩伟华 王昊 吕奇峰 杨富华 
国家自然科学基金资助项目(61376069)
硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳...
关键词：场效应晶体管(FET) Ⅲ-Ⅴ族纳米线 硅衬底 气相-液相-固相生长 选择区域生长(SAG) 
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