刘卫丽

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供职机构：中国科学院更多>>
发文主题：SOI材料多孔硅绝缘体HFSOI更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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所获基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
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多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
《功能材料与器件学报》2001年第4期355-359,共5页刘卫丽 多新中 张苗 沈勤我 王连卫 林成鲁 
国家自然科学基金项目(69906005和9775062);上海市科学技术发展基金项目(98JC14004)
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表...
关键词：绝缘体上 多孔硅 外延 SOI材料 
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