杨国文

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：半导体激光器组合件应变量子阱激光器应变层INGAAS更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《中国激光》《物理学报》更多>>
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赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量
《物理学报》1998年第8期1339-1345,共7页卢励吾 张砚华 杨国文 王占国 
国家自然科学基金;香港科技大学和中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放研究实验室资助
分别采用二种不同方法测量分子束外延（ＭＢＥ）生长ＧａＡｓ／Ｉｎ０２Ｇａ０８Ａｓ单量子阱结构的导带不连续量ΔＥｃ：１）考虑样品界面电荷修正的电容电压（ＣＶ）分布；２）量子阱载流子热发射产生的电容瞬态（ＤＬＴＳ）...
关键词：砷化镓 铟镓砷 量子阱 导带 C-V 电容 
980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件被引量：2
《中国激光》1997年第10期873-876,共4页徐遵图 徐俊英 杨国文 张敬明 肖建伟 陈良惠 沈光地 
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模...
关键词：应变层 量子阱 半导体激光器 
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