杨宇欣

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供职机构:长春光学精密机械学院电子工程系更多>>
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CdS/CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究
《Journal of Semiconductors》1995年第9期669-672,共4页杨文库 杨宇欣 邓文荣 
本文提出了精确测量内建电压V_D的W(结宽)-N(Neff为有效空间电荷密度)新方法.文中严格证明了由W-N曲线的斜率可计算异质结的VD.在零偏压下测量了CdS/CuInSe2异质结的VD,样品CIS-1的VD为0....
关键词:CDS CUINSE2 异质结 电压 测试 能带结构 半导体 
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