云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘赟

刘赟: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>; 发文主题：传输损耗CPW硅基共平面波导高阻更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>

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Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2007年第2期221-225,共5页徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱; 国家自然科学基金(No.60306012);上海市科委启明星计划(04QMX1419);上海应用材料研究与发展基金(0522)等项目资助; 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GH...; 关键词：共平面波导硅/二氧化硅系统电荷高阻硅衬底