申加兵

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供职机构:山东师范大学更多>>
发文主题:GAN纳米线GAN氧化锌ZNO纳米结构NB更多>>
发文领域:一般工业技术更多>>
发文期刊:《稀有金属材料与工程》更多>>
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氨化Ga_2O_3/Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究(英文)
《稀有金属材料与工程》2009年第4期565-569,共5页庄惠照 李保理 王德晓 申加兵 张士英 薛成山 
National Natural Science Foundation of China(Grant No90301002);Supported by the Key Research Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No 90201025)
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌。结果表明:采用此方法得到的Ga...
关键词:纳米线 氨化 GAN 
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