魏福立

作品数：7被引量：7H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：宽频带稳定性运算放大器混频器鉴相器更多>>
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具有快速锁定时间的新型低相噪频率合成技术被引量：3
《半导体技术》2006年第5期321-324,333,共5页魏福立 张华鹏 
介绍了一种新型频率合成器的基本原理和方法,该结构利用常规合成器中存在而被忽略的有用信息而改进的电路结构,捕捉速度快(<20ms)、相位噪声低,与常规锁相频率合成器相比,相位噪声减小约25dB,可为现代通信提供纯净的频谱、较低的辐射和...
关键词：锁相频率合成 鉴相器 瞬时相位 锁定速度 
一种宽带运放的设计及恒定跨导电路稳定性分析
《半导体技术》2005年第7期66-70,共5页魏汝新 魏福立 李肇基 
介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比较理想的实用偏置结构,从而极大地改善了电路的稳定性。
关键词：运算放大器 频率补偿 稳定性 恒定跨导 
宽频带、高镜像抑制度混频器被引量：2
《半导体技术》2001年第2期37-40,共4页魏福立 
介绍的这种宽频带、高镜像抑制度混频器具有变频损耗小、镜像抑制度高、路间隔离度大、驻波系数小、体积小（５０ｍｍ × ４０ｍｍ × ２０ｍｍ）、工作温度范围宽及可靠性高的特点。
关键词：混频器 宽频带 高镜像抑制度 
SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用
《半导体情报》2000年第3期32-37,共6页魏福立 魏汝新 孙翠景 
介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 。
关键词：锗化硅晶体管 RF器件 射频集成电路 
优化高速运放的稳定性被引量：1
《半导体情报》1999年第3期40-42,49,共4页魏福立 
主要讨论了高速运放在高频应用中的稳定性及其解决问题的方法。
关键词：运算放大器 单位增益带宽积 相位裕量 稳定性 
ERA系列单片放大器及其应用被引量：1
《半导体情报》1999年第3期61-64,共4页宋振辉 魏福立 
ＥＲＡ系列单片集成放大器采用异质结双极晶体管工艺制作，在ＤＣ～１０ＧＨｚ的宽带频率范围内，具有信号增益高、增益平坦度好、输出功率和动态范围大、三阶互调小、噪声系数较小的特点。本文主要介绍其内部电路结构、特点及有关应用。
关键词：单片集成放大器 异质结 双极晶体管 
一种宽频带低功耗的数字式微波频率合成器
《电子技术应用》1992年第6期25-27,共3页魏福立 
本文介绍的数字式微波频率合成器,采用直接分频锁相方式,使压控振荡器和分频器直接工作在微波频段,其突出特点是输出频率范围宽(750MHz～950MHz频道间隔为50MHz),频率稳度高(-25℃～+50℃内,优于1×10^(-5)),功耗低(<0.7W),电路简单,体...
关键词：合成器 微波 频率 数字式 低功耗 
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