曾永志

作品数：4被引量：31H指数：2
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供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题：过渡金属稀磁半导体电磁性质第一原理计算黄铜矿更多>>
发文领域：理学电子电信轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《厦门大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算被引量：23
《物理学报》2006年第2期873-878,共6页林秋宝 李仁全 曾永志 朱梓忠 
国家自然科学基金(批准号:10374076);集美大学自然科学基金(批准号:4411C50327)资助的课题.~~
使用基于自旋局域密度泛函理论的第一性原理方法对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体(GaAs和GaP)的电磁性质进行了计算.结果发现:用V,Cr和Mn掺杂时体系将出现铁磁状态,而Fe掺杂时将出现反铁磁状态,Co和Ni掺杂时,其...
关键词：稀磁半导体 过渡金属 掺杂 共掺杂 
双层阴极结构BaO/Al聚合物电致发光器件电子注入的研究被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2005年第B06期326-329,共4页张伟 黄美纯 刘银春 许运华 曾永志 
国家科技部863计划(2001AA313070)资助
介绍了用双层阴极BaO/Al和发光层MEHPPV制成的聚合物电致发光器件(PLEDs),研究了绝缘层BaO对电子注入所起的作用.实验发现,BaO对电子的注入起到显著的促进作用,与直接用Al做阴极的器件对比,其发光亮度和效率分别提高了20倍和10倍,达到了...
关键词：聚合物电致发光器件 电子注入 BAO AL 阴极结构 绝缘层 实验发现 发光亮度 量子效率 最佳厚度 PPV MEH 发光层 CSF LiF 
黄铜矿半导体DMS的第一原理计算被引量：2
《厦门大学学报（自然科学版）》2005年第2期172-175,共4页曾永志 黄美纯 
国家自然科学基金(10274946和60336010)资助
为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr...
关键词：稀磁半导体 过渡金属 双交换作用 黄铜矿 计算方法 磁性稳定性 
TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2黄铜矿半导体的电磁性质被引量：5
《物理学报》2005年第4期1749-1755,共7页曾永志 黄美纯 
国家自然科学基金 (批准号 :10 2 74946;60 3 3 60 10 )资助的课题~~
利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属 (TM =V ,Cr,Mn ,Fe ,Co和Ni)掺杂的Ⅱ Ⅳ Ⅴ2 (CdGeP2 和ZnGeP2 )黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算 .结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂...
关键词：稀磁半导体 过渡金属 双交换作用 铁磁状态 自旋局域密度泛函 
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