朱贺

作品数：1被引量：3H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：HBTSOISIGE_HBT更多>>
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所获基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
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SOI SiGe HBT结构设计及频率特性研究被引量：3
《物理学报》2014年第11期375-379,共5页宋建军 杨超 朱贺 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 舒斌 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本科研业务费(批准号:72125499)资助的课题~~
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路所能达到的工作速度.为此,本文针对所提出的SOI SiGe HBT器件结构,重点研究了该器件的频率特性,并通过所...
关键词：HBT 设计 频率 SOI 
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