黄薇

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
发文主题：静电放电TVS二极管二次击穿热源模型触发更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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瞬态电压抑制二极管的建模及仿真被引量：3
《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第6期927-931,936,共6页黄薇 罗启元 蒋同全 汪洋 金湘亮 
国家自然科学基金资助项目(61274043);教育部科学技术研究重点基金资助项目(212125);湘潭大学大学生创新基金资助项目
基于0.5μm CMOS工艺,设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模,在Matlab数值模拟工具中利用所建模型仿真,获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向I–U特性曲线;基于Silvaco TCAD...
关键词：静电放电 TVS二极管 热源模型 计算机辅助设计仿真 二次击穿点 
一个LVTSCR并联PMOS的高维持电压ESD防护器件(英文)
《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第2期315-320,共6页蒋同全 汪洋 黄薇 罗启元 金湘亮 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61274043);by the State Key Program of National Natural Science of China(Grant No.61233010);the Key Project of Chinese Ministry of Education(Grant No.212125);Creative Project in Xiangtan University
为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作...
关键词：静电放电 低压触发可控硅器件 PMOS触发 Silvaco软件 
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