方亮

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供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文主题：晶格匹配发射区宽禁带宽带隙热光伏电池更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
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AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用
《半导体技术》2018年第7期481-488,522,共9页张启明 张保国 孙强 方亮 王赫 杨盛华 张礼 罗超 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(W2013100006)
AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带...
关键词：ALGAINP 氧污染 金属有机气相外延(MOVPE) 多结太阳电池 晶格失配 半导体直接键合 
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