李二亮

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基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
《电子设计工程》2015年第9期8-11,共4页李二亮 张立军 李有忠 张其笑 姜伟 胡玉青 
国家自然科学基金资助项目(61272105)
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺...
关键词:静态随机存取存储器 工艺拐点补偿 温度补偿 读操作跟踪电路 蒙特卡罗 
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