陈成

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短沟道负电容GAAFET的物理解析模型的理论推导
《大学物理》2024年第4期36-39,55,共5页白刚 陈成 
国家自然科学基金(51602159);南京邮电大学校级自然科学基金(NY222128)资助。
围栅场效应晶体管的EDA设计软件是我国芯片产业“卡脖子”的关键技术之一,已经受到科学界与产业界的高度重视.本文首先通过合理近似推导出传统短沟道GAAFE的物理解析模型,然后在此基础上通过增加铁电层推导出负电容GAAFET的物理解析模型...
关键词：负电容 围栅场效应晶体管 短沟道 铁电 
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