刘成

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供职机构：上海大学更多>>
发文主题：复合催化剂费托合成催化剂多金属氧酸盐催化氧化钴更多>>
发文领域：理学金属学及工艺自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《现代电子技术》更多>>
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高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
《现代电子技术》2024年第16期33-38,共6页王敏聪 刘成 
国家重点研发计划项目(2021YFB3200600);国家重点研发计划项目(2021YFB3200602)。
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级...
关键词：基准电压缓冲芯片 CMOS电压缓冲运算放大器 ESD防护电路 芯片版图 高增益 高驱动能力 
包含过渡区的可自动变模数字锁相环
《微电子学》2024年第3期375-381,共7页沈祯 刘成 
国家重点研发计划项目(2021YFB3200600、2021YFB3200602)。
针对传统的数字锁相环频带窄,速度慢,只能锁定中心频率附近频率的缺点,提出了一种具有快捕区、中捕区、过渡区和慢捕区的可变模可监测频率改变的全数字锁相环。该数字锁相环具有自动变模功能,可在锁定过程中自动改变数字滤波器模的值。...
关键词：全数字锁相环 VERILOG 自动变模 过渡区 
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