朱飞

作品数:1被引量:0H指数:0
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供职机构:天津大学理学院物理系更多>>
发文主题:XTEM板层离子注入英文SPAT更多>>
发文领域:理学更多>>
发文期刊:《原子核物理评论》更多>>
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B和H离子顺次注入单晶Si引起的缺陷及其热演变(英文)
《原子核物理评论》2013年第4期471-476,共6页张蓓 张鹏 王军 朱飞 曹兴忠 王宝义 刘昌龙 
National Natural Science Foundation of China(10975107)~~
室温下将130 keV,5×1014cm 2B离子和55 keV,1×1016cm 2H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B和H离子顺次...
关键词:单晶Si B和H离子注入 H板层缺陷 XTEM SPAT 
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