刘华预

作品数：1被引量：1H指数：1
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HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
《微电子学》1995年第4期39-44,共6页刘家璐 张廷庆 刘华预 王清平 叶兴耀 
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原...
关键词：反应离子刻蚀 硅槽刻蚀 集成电路 
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