彭应国

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文主题：超晶格结构MOCVD生长ZNSE半导体超晶格高分辨透射电镜更多>>
发文领域：金属学及工艺理学电子电信更多>>
发文期刊：《金属学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究
《发光快报》1994年第1期1-8,共8页宋士惠 关郑平 范广涵 范希武 彭应国 吴玉琨 
"863"计划光电子主题;国家自然科学基金;中国科学院金属研究所固体开放实验室的资助
本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出...
关键词：超晶格 汽相外延生长 电子显微镜 
Al超微粒子的组织结构及表面状态被引量：2
《金属学报》1992年第5期A196-A201,共6页孙秀魁 陈文绣 徐坚 范学书 魏文铎 吴玉琨 彭应国 
本工作采用惰性气体蒸发法制备Al超微粒子,采用高分辨透射电子显微镜,X射线衍射和X光电子谱等多种分析技术,详细研究了Al超微粒子的结晶形态、晶体结构、表面状态和组成,结果指出,在高纯惰性气氛中制备的Al超微粒子具有明显的结晶形态,...
关键词：Al超微粒子 组织结构 表面状态 
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