宋士惠

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
发文主题：ZNSEX超晶格MOCVD应变层超晶格更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《南昌大学学报（工科版）》《发光学报》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究
《发光快报》1994年第1期1-8,共8页宋士惠 关郑平 范广涵 范希武 彭应国 吴玉琨 
"863"计划光电子主题;国家自然科学基金;中国科学院金属研究所固体开放实验室的资助
本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出...
关键词：超晶格 汽相外延生长 电子显微镜 
Zn_(1-x)Cd_xSe-ZnSe多量子阱的光学双稳态
《发光学报》1993年第3期221-224,共4页杨宝均 宋士惠 张吉英 陈连春 郑著宏 吕有明 范希武 
国家863高技术;国家攀登计划及国家自然科学基金
用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Z_(n1-x)Cd_xSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学...
关键词：多量子阱 双稳态 半导体材料 激子 
常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜
《南昌大学学报（工科版）》1990年第3期60-62,88,共4页江风益 范广涵 宋士惠 范希武 
本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.
关键词：金属有机化学汽相沉淀 ZnTe单晶膜 光致发光 X射线衍射 
常压 MOCVD 法生长 ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)应变层超晶格被引量：3
《人工晶体学报》1990年第1期10-15,共6页范广涵 关郑平 江风益 范希武 宋士惠 
本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射线衍射法和光荧光法鉴定了超晶格结构。
关键词：应变层 超晶格 ZNSE 锌 ZnSxSe1-x 
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