沈溧

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：华东师范大学更多>>
发文主题：ALGAN/GAN_HEMT器件ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管建模方法大信号INP更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《实验室研究与探索》更多>>
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一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法被引量：1
《实验室研究与探索》2016年第9期82-85,95,共5页史丽云 沈溧 唐旻 高建军 
国家自然科学基金重点项目61234001
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 大信号 模型 片上(在片)测试 
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