云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 宁广蓉

宁广蓉: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>; 发文主题：BITAUSIPZT铁电薄膜更多>>; 发文领域：自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《压电与声光》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器: 《压电与声光》2002年第6期440-444,共5页李兴教王宁章鲍军波宁广蓉陈涛徐静平陈振贤邹雪城 LI Shao-ping; 国家自然科学基金资助项目(59972010)。; 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变...; 关键词：Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) 存储器铁电薄膜电位降内建电压金属/铁电薄膜/半导体结构