吴艳辉

作品数：1被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：弥亚微电子(上海)有限公司更多>>
发文主题：抑制比CMOS带隙基准电压源温度系数电源抑制比带隙基准更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量：2
《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第11期106-108,共3页张道礼 梁延彬 吴艳辉 陈胜 
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数....
关键词：带隙基准 反馈 温度系数 电源抑制比 可修调电阻 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部