梁延彬

作品数：2被引量：7H指数：2
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：掺锑二氧化锡ATOX-射线衍射粉体粒度化学共沉淀法更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《压电与声光》《华中科技大学学报（自然科学版）》更多>>
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一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量：2
《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第11期106-108,共3页张道礼 梁延彬 吴艳辉 陈胜 
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数....
关键词：带隙基准 反馈 温度系数 电源抑制比 可修调电阻 
化学共沉淀工艺对ATO粉体粒度的影响被引量：5
《压电与声光》2007年第2期207-209,共3页陶亮 张道礼 梁延彬 程有光 
采用化学共沉淀法制备掺锑二氧化锡粉体（ATO），用x-射线衍射法和扫描电子显微镜对粉体粒度作了表征。系统研究了退火温度、反应体系pH值、掺锑量和煅烧温度等工艺参数对最终粉体粒径的影响规律，并得到了最佳工艺操作参数：反应体系p...
关键词：掺锑二氧化锡 化学共沉淀法 X-射线衍射 扫描电镜 
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