武壮文

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GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究
《吉林大学学报（理学版）》1983年第2期109-114,共6页戴国瑞 姜秀英 武壮文 励映群 刘玉梅 路鹏 
本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用...
关键词：GAAS 自生 氧化膜 ZN 结深 
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