李小珍

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：IPCMOSA/D转换器可重构电容更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子器件》更多>>
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一种基于90nm工艺的10位电荷再分配型逐次逼近模数转换器IP被引量：1
《电子器件》2009年第3期596-600,共5页徐峰 陈杉 李小珍 杨银堂 
国家自然科学基金资助(60476046,60676009);国家杰出青年基金资助(60725415)
在比较了三种不同的分段式全电容D/A结构的基础上,介绍了一种10bit电荷再分配型逐次逼近A/D转换器IP的设计。该转换器采用UMC 90nm SP-RVT CMOS工艺。该转换器IP的特点是采用了一种利用边缘效应的边缘电容器来代替代价昂贵的PIP和MIM电...
关键词：IP 电荷再分配 A/D转换器 CMOS 边缘电容器 
可重构的低温共烧陶瓷电容高频等效电路模型被引量：1
《半导体技术》2008年第1期83-85,共3页李小珍 邢孟江 朱樟明 李跃进 杨银堂 
国家重大科技预研资助项目(51323030301)
低温共烧陶瓷电容元件在微波多芯片组件设计中具有重要地位,其模型是系统仿真的关键。根据电容的物理结构特点,提出了一个可重构的高频电容模型,并给出其模型参数的计算公式。最后用ADS对双层电容和四层电容等效电路模型的S参数和用三...
关键词：低温共烧陶瓷 电容 等效电路 模型 
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