云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘幸龙

刘幸龙: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：河南科技学院更多>>; 发文主题：单晶片材料去除率4H-SIC研磨膏辅助剂更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术更多>>; 发文期刊：更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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基于游离磨粒的化学机械抛光材料去除非均匀性形成机制(英文)被引量：4: 《纳米技术与精密工程》2012年第6期541-548,共8页苏建修张学铭刘幸龙刘志响张竹青; the financial support of the National Natural Science Foundation of China(No.51075125)~~; 本文主要研究硬脆晶体材料化学机械抛光中基片内材料去除非均匀性的形成机理.首先分析了化学机械抛光时抛光机的运动参数对硅片表面上相对速度分布非均匀性、摩擦力分布非均匀性、接触压力分布非均匀性及磨粒运动轨迹密度分布非均匀性...; 关键词：化学机械抛光材料去除机理材料去除率非均匀性磨粒