罗春云

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：太原科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：密度泛函理论第一性原理光电性质模拟计算包埋更多>>
发文领域：理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料研究与应用》《电子元件与材料》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：山西省自然科学基金更多>>
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纳米材料第一性原理的模拟计算研究被引量：1
《材料研究与应用》2009年第4期239-242,共4页罗春云 柴跃生 张敏刚 
山西省自然科学基金(20041073)
介绍了纳米材料模拟研究的现状、计算机模拟研究纳米材料的优越性及模拟研究所使用的第一性原理和基于第一性原理的几种主要方法及其运用,提出了第一性原理模拟研究纳米材料所存在的问题和建议.
关键词：模拟计算 第一性原理 纳米材料 密度泛函理论 
SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算
《人工晶体学报》2009年第5期1216-1220,共5页柴跃生 罗春云 张敏刚 伍静 
山西省自然科学基金(No.20041073)
采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的...
关键词：第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度 
SiO_2基质中包埋纳米晶Si光电性质的模拟计算被引量：1
《电子元件与材料》2008年第11期67-69,共3页柴跃生 罗春云 张敏刚 
山西省自然科学基金资助项目(No.20041073)
采用第一性原理方法,研究了SiO2基质中包埋纳米晶Si的电子结构及光学性质。结果表明:位于约1.7eV的吸收峰是–0.59eV能级上的电子向由价键畸变产生的1.2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的Si原子的p轨道对可见光区光的吸收有主...
关键词：电子技术 第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度 
NdFeB永磁靶材溅射模拟被引量：3
《电子元件与材料》2008年第6期61-64,共4页雒哲廷 张敏刚 伍静 罗春云 
山西省自然科学基金资助项目(No.20021067)
运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟，并就入射离子的入射能量和角度进行了分析，得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律：1）溅射产额随着入射离子能量的增加而增加，在低能量区域增加很快，到了...
关键词：电子技术 Nd2Fe14B永磁靶 溅射 模拟 
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