靳磊

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：铁电存储器铁电叠层介质层NAND型更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》更多>>
所获基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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损伤恢复机制对3D NAND闪存保持特性的影响
《微纳电子技术》2019年第10期783-788,共6页艾迪 靳磊 邹兴奇 张瑜 李春龙 霍宗亮 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB1107700)
在3D NAND闪存的分布式编程擦除循环实验中发现,存储单元的保持特性随着编程擦除循环周期间隔的增加而改善。对实验数据的分析表明,编程擦除循环周期间隔中发生了损伤恢复,且在损伤恢复的两个机制中,氧化层电荷逸出对保持特性的改善起...
关键词：3D NAND闪存 保持特性 耐久性 损伤恢复 存储器可靠性 
硅纳米晶存储器的耐受性研究
《微纳电子技术》2014年第8期481-488,共8页姜丹丹 霍宗亮 靳磊 杨潇楠 王永 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934200;2011CBA00600);国家自然科学基金资助项目(61176073;61221004;61306107);中国博士后科学基金面上资助项目(2014M550866);成都信息工程学院科研基金资助项目(KYTZ201318)
首先介绍了硅纳米晶粒的制备工艺以及硅纳米晶存储器件的基本特性。接着重点探讨了硅纳米晶存储器耐久性退化的物理机制,发现应力引起的界面陷阱是耐受性退化的主要原因。随后,同时采用多种分析手段,如电荷泵法和CV曲线分析法对界面陷...
关键词：硅纳米晶存储器 耐受性 界面陷阱 能级分布 退化 
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