孙郯

作品数：1被引量：3H指数：1
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ESD保护器件在多晶硅上的实现被引量：3
《信息技术》2008年第12期74-76,118,共4页孙郯 
静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因,目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的,这将占用一定的硅片面积,提升电路的成本。如果能够在多晶硅层(垂直空间)实现ESD保护器件,就能够节约一定的面积,从而节约成本...
关键词：ESD ESD模型 TLP 多晶硅 
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