李拂晓

作品数：1被引量：2H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：ALGAN/GAN_HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管内匹配铝镓氮更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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7.5～9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第2期159-162,206,共5页王帅 陈堂胜 张斌 李拂晓 陈辰 龚敏 
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
关键词：铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 内匹配 
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