倪铭

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发文主题：CMOS器件TCAD晶体管温度范围温度更多>>
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基于TCAD的45nm CMOS器件温度特性模拟
《微电子学》2015年第1期119-124,共6页倪铭 余金山 马驰远 
国家自然科学基金资助项目(61176030)
基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文...
关键词：晶体管 特性曲线 温度范围 
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