云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 曹建明

曹建明: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：深圳大学电子科学与技术学院更多>>; 发文主题：场效应晶体管FET绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管总剂量效应更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>; 所获基金：深圳市基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>

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三栅FET的总剂量辐射效应研究: 《固体电子学研究与进展》2013年第2期119-123,共5页刘诗尧贺威曹建明黄思文; 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11109052);深圳市基础研究计划资助项目(JC201005280565A);深圳市基础研究计划资助项目(JC201005280558A); 通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅...; 关键词：绝缘体上硅总剂量效应赝金属氧化物半导体场效应晶体管三栅场效应晶体管