张琴

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发文主题：集成度侧墙亚微米半导体结构选择性刻蚀更多>>
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一种新型的自对准源漏接触技术
《微纳电子技术》2014年第5期328-332,共5页张琴 洪培真 崔虎山 卢一泓 贾宬 钟汇才 
国家科技重大专项资助项目(Y0GZ28X003)
提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以...
关键词：自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 前栅工艺 后栅工艺 
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