董春华

作品数：1被引量：3H指数：1
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双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用被引量：3
《仪表技术与传感器》2012年第1期13-15,共3页张娜 李颖 张治国 祝永峰 董春华 殷波 
硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行...
关键词：硅电容传感器 小间隙 双面静电封接 
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